9926 SOP-8低压大芯片双N沟道场效应管

9926 SOP-8 N+N双芯片低压大芯片MOS管
9926mos管是性能很高的沟槽N沟道MOSFET，具有较高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅较电荷，9926mos管符合RoHS和绿色产品要求，并获得全面的功能可靠性认证。

9926mos管先进的高单元密度沟槽技术z**低栅较电荷z出色的Cdv / dt效应下降z绿色器件可用，双N沟道场效应管，VDS=20V、IDS=6A、PD=2W。

9926低压mos**较大额定值：

湾脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2％，**出“**较大额定值”下列出的应力可能会对器件造成*性损坏，这些仅是压力等级和功能操作不暗示设备在这些或任何其他条件下**出规范操作部分所述的条件，暴露于**较大值延长期的额定条件可能会影响设备的可靠性。
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