烧结银膏 武汉无压低温烧结纳米银膏直供 善仁纳米烧结银

善仁(浙江)新材料科技有限公司

在电子封装领域，纳米银浆较先被应用在大功率封装领域中。善仁新材料公司采用30nm-50nm的纳米银浆在275℃无压状态下获得了良好的烧结接头。接头的致密度可高达80%，剪切强度达到20MPa。烧结层的热传导率是普通共晶焊料的5 倍以上，这种由纳米银烧结层构成互连层的芯片基板互连技术是一种潜在的适合*三代半导体---宽禁带半导体器件（碳化硅SiC或氮化镓GaN）的技术。此外接头还可承受300℃下，400小时的温度存储试验。
银烧结技术是把材料加热到低于它的熔点温度，然后材料中的银颗粒聚集结合，并实现颗粒之间的结合强度。传统银烧结采用对材料或设备加压、加热直至形成金属接点的方法。然而，在半导体封装领域，这种加压技术的应用必然会碰到产能不足的问题，因为客户必须在资本密集型的芯片粘接设备上单个自地生产。然而，AlwayStone AS9330不同于传统银烧结产品，它是通过其银颗粒的特表面能，在不需要任何压力的情况下，在普通的烤箱中加热升温到160度就可以烧结。此外，AlwayStone AS9330可以在普通的芯片粘接设备上使用，*额外投资设备，客户可以简单、快速和低成本地用它来替换现有材料。

8  其他建议：善仁新材研究院在烧结银块体的性能研究发现：随烧结温度升高，烧结体密度和硬度逐渐，尤其在分散剂的分解温度和原子扩散重排温度区间，的趋势更加明显;与此同时，烧结温度越高，烧结银块体的热导率也跟着，280℃烧结银的热导率已达到216W/(m·K);热膨胀行为分析也指出150℃、200℃、250℃三个温度烧结的银浆在加热到100℃以上时热膨胀系数都接近于银浆块体的热膨胀系数值，且**230℃烧结的银块体因烧结过程引起的收缩对热膨胀行为影响较小，所以呈现出稳定的状态。

为响应*三代半导体快速发展的需求，善仁新材宣布了革命性的银烧结技术的成功。该技术*加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStone AS9330是一款使用了善仁银烧结技术的纳米银，它是一种高可靠性的芯片粘接材料，非常适用于SiC和高功率LED产品等功率模块。

如何降低纳米银的烧结温度、减少烧结裂纹并提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。
烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况，总结出烧结银的工艺流程供大家参考：
纳米银膏AS9300和微米银膏的烧结后的性能区别，善仁新材的研发人员通过对比测试，得出如下结论：
1 在相同的烧结条件下，纳米银膏烧结接头比微米银膏烧结接头有更高的剪切强度；
2 纳米银膏可以在低至150度烧结，而微米银膏要在250度或者更高的温度烧结；