flash按钮开关

  • 2024-05-12 14:40 999
  • 产品价格:面议
  • 发货地址:广东深圳 包装说明:不限
  • 产品数量:200000.00 个产品规格:不限
  • 信息编号:250423091公司编号:15442499
  • 郑主管 微信 13265447518
  • 进入店铺 在线留言 QQ咨询  在线询价
    相关产品:

深圳市天吉芯技术开发有限公司

型号:AT45DB041D-SU品名:存储芯片库存:现货仓库:深圳品质:原装
4-megabit 
2.5-volt or 
2.7-volt 
DataFlash®
AT45DB041B
For New 
Designs Use 
AT45DB041D
The CS pin must remain low during the loading of the opcode, the address bits, the don’t care
bits, and the reading of data. When the end of a page in main memory is reached during a Continuous Array Read, the device will continue reading at the beginning of the next page with no
delays incurred during the page boundary crossover (the crossover from the end of one page to
the beginning of the next page).
flash按钮开关
The DataFlash incorporates an internal address counter that will automatically
increment on every clock cycle, allowing one continuous read operation without the need of
additional address sequences. To perform a continuous read, an opcode of 68H or E8H must be
clocked into the device followed by 24 address bits and 32 don’t care bits. The first four bits of
the 24-bit address sequence are reserved for upward and downward compatibility to larger and
smaller density devices (see Notes under “Command Sequence for Read/Write Operations” diagram).
flash按钮开关
Continuous Array Read
By supplying an initial starting address for the main memory array, the Continuous Array Read
command can be utilized to sequentially read a continuous stream of data from the device by
simply providing a clock **; no additional addressing information or control **s need to
be provided.
flash按钮开关
1. Description
The AT45DB041B is an SPI compatible serial interface Flash memory ideally suited
for a wide variety of digital voice-, image-, program code- and data-storage applications. Its 4,325,376 bits of memory are organized as 2048 pages of 264 bytes each. In
addition to the main memory, the AT45DB041B also contains two SRAM data buffers
of 264 bytes each. 
The buffers allow receiving of data while a page in the main memory is being reprogrammed, as well as reading or writing a continuous data stream. EEPROM emulation
(bit or byte alterability) is easily handled with a self-contained three step Read-ModifyWrite operation. Unlike conventional Flash memories that are accessed randomly with
multiple address lines and a parallel interface, the DataFlash uses a SPI serial interface to sequentially access its data. DataFlash supports SPI mode 0 and mode 3. The
simple serial interface facilitates hardware layout, increases system reliability, minimizes switching noise, and reduces package size and active pin count. The device is
optimized for use in many commercial and industrial applications where high density,
low pin count, low voltage, and low power are essential. The device operates at clock
frequencies up to 20 MHz with a typical active read current consumption of 4 mA. 
To allow for simple in-system reprogrammability, the AT45DB041B does not require
high input voltages for programming. The device operates from a single power supply,
2.5V to 3.6V or 2.7V to 3.6V, for both the program and read operations. The
AT45DB041B is enabled through the chip select pin (CS) and accessed via a threewire interface consisting of the Serial Input (SI), Serial Output (SO), and the Serial
Clock (SCK).
All programming cycles are self-timed, and no separate erase cycle is required before
programming
Buffer Read
Data can be read from either one of the two buffers, using different opcodes to specify which
buffer to read from. An opcode of 54H or D4H is used to read data from buffer 1, and an opcode
of 56H or D6H is used to read data from buffer 2. To perform a Buffer Read, the eight bits of the
opcode must be followed by 15 don’t care bits, nine address bits, and eight don’t care bits. Since
the buffer size is 264 bytes, nine address bits (BFA8 - BFA0) are required to specify the first byte
of data to be read from the buffer. The CS pin must remain low during the loading of the opcode,
the address bits, the don’t care bits, and the reading of data. When the end of a buffer is
reached, the device will continue reading back at the beginning of the buffer. A low-to-high transition on the CS pin will terminate the read operation and tri-state the SO pin.
Status Register Read
The status register can be used to determine the device’s Ready/Busy status, the result of a
Main Memory Page to Buffer Compare operation, or the device density. To read the status register, an opcode of 57H or D7H must be loaded into the device. After the last bit of the opcode is
shifted in, the eight bits of the status register, starting with the MSB (bit 7), will be shifted out on
the SO pin during the next eight clock cycles. The five most significant bits of the status register
will contain device information, while the remaining three least-significant bits are reserved for
future use and will have undefined values. After bit 0 of the status register has been shifted out,
the sequence will repeat itself (as long as CS remains low and SCK is being toggled) starting
again with bit 7. The data in the status register is constantly updated, so each repeating
sequence will output new data.

关于八方 | 招贤纳士八方币招商合作网站地图免费注册商业广告友情链接八方业务联系我们汇款方式投诉举报
八方资源网联盟网站: 八方资源网国际站 粤ICP备10089450号-8 - 经营许可证编号:粤B2-20130562 软件企业认定:深R-2013-2017 软件产品登记:深DGY-2013-3594 著作权登记:2013SR134025
互联网药品信息服务资格证书:(粤)--非经营性--2013--0176
粤公网安备 44030602000281号
Copyright © 2004 - 2024 b2b168.com All Rights Reserved