纳米银膏和微米银膏的区别
纳米银膏和微米银膏的烧结后的区别,善仁新材的研发人员通过对比测试,得出如下结论:
1 在相同的烧结条件下,纳米银膏烧结接头比微米银膏烧结接头有更高的剪切强度;
2 纳米银膏可以在低至150度烧结,而微米银膏要在250度或者更高的温度烧结;
3 纳米银膏无需加压,微米银膏需要加压;
4 纳米银膏接头烧结层和镀银层结合较好,烧结层为微孔结构,孔隙率低;而微米银膏烧结层空隙粗大,空洞率高;
5 纳米银膏烧结层导热率高于微米银膏烧结层;
如何降低纳米银的烧结温度、减少烧结裂纹并提高烧结体的致密性和热导率成为目前纳米银研究的重要内容。
烧结银的烧结工艺流程就显得尤为重要了。善仁新材研究院根据客户的使用情况,总结出烧结银的工艺流程供大家参考:
为响应第三代半导体快速发展的需求,善仁新材宣布了革命性的银烧结技术的成功。该技术无需加压烘烤即可帮助客户实现高功率器件封装的大批量生产。AlwayStone AS9330是一款使用了善仁银烧结技术的纳米银,它是一种高可靠性的芯片粘接材料,非常适用于SiC和高功率LED产品等功率模块。
1 清洁粘结界面
2 界面太光滑,建议界面做的粗糙些
3 粘结尺寸过大时,建议一个界面开导气槽
4 一个界面涂布烧结银时,涂布的要均匀
5 另外一个界面放烧结银上时,建议用一点压力把银层下压一下
6 烧结时需逐步阶梯升温到一定的温度,比如3分钟升高5度等
7 烧结结束时,建议在烘箱中逐步降温到室温再把器件拿出。
善仁新材的这一技术提高了生产效率,从传统银烧结技术每小时只能生产约30个产品上升至现在的每小时3000个。现在,凭借这一新的银烧结材料,第三代半导体封装们得以实现高产能,高可靠性的产品。
3 纳米银膏无需加压,微米银膏需要加压;
4 纳米银膏接头烧结层和镀银层结合较好,烧结层为微孔结构,孔隙率低;而微米银膏烧结层空隙粗大,空洞率高;
5 纳米银膏烧结层导热率高于微米银膏烧结层;
综上所述:使用纳米银膏有利于延长电子电器的使用寿命。