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由于IGBT模块为MOSFET结构,IGBT的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离。由于此氧化膜很薄,其击穿电压一般达到20~30V。因此因静电而导致栅极击穿是IGBT失效的常见原因之一。
整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。全桥是由4只整流二极管按桥式全波整流电路的形式连接并封装为一体构成的。选择整流桥要考虑整流电路和工作电压。整流桥堆一般用在全波整流电路中,它又分为全桥与半桥。
整流桥按整流变压器的类型可以分为传统的多脉冲变压整流器和自耦式多脉冲变压整流器。传统的多脉冲变压整流器采用隔离变压器实现输入电压和输出电压的隔离,但整流变压器的等效容量大,体积庞大。
整流桥的作用将交流电转换为直流电。整流桥是通过二极管的单向导通原理来完成整流作的,所以将其接入交流电路时它能使电路中的电流只按单向流动,即所谓“整流”。整流器通常由4只二极管组成单相桥式全波整流器和6只二极管组成三相桥式全波整流器。分别使用在单相线路和三相线路的整流。
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