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光纤对准方式:利用光纤熔接过程中表面张力作用进行包层对准熔接模式:100个熔接模式容量:容量 约为165次熔接和加热循环加热模式:30个加热模式电池寿命:约为500次充电循环
随着5G组网、云计算、物联网、数据中心、人工智能和工业互联网等新兴领域的不断发展,海量数据迫使骨干网传输从100G向200G/400G等更高速率升级,兼具低非线性效应和低衰减系数的G.654.E光纤将是200G/400G及未来Tbit/s**高速传输技术的选光纤。
纳米调芯技术(NanoTune)
住友TYPE-82C和TYPE-82C+技术参数对比(见:下表)
对于下一代光网络,更低的衰减系数和更大的光纤有效面积有利于**高速、**大容量以及**长距离的数据传输,G.654.E光纤以其的技术优势成为运营商建设5G网络的主流选