微型西码WESTCODE可控硅制造厂

上海秦邦电子科技有限公司

ABB普通晶闸管 -获准**的硅滑动式结构 -应用于大功率的工业生产和电气传动领域 -很低的同态压降 -选择合适的Qrr和Vt的器件匹配，可串联或并联使用 优点： 应用于大功率的工业生产和电气传动领域 低通态压降选择合适的Qrr和∨T的器件匹配，可串联或并联使用 获准**的硅滑动式结构 工作范围：350~6100A，1600~8500V 可控硅应用领域 ： 无功补偿、励磁、高压软起动、整流器、工业传动设备、高压变频调速直流输电、 充磁机、可控硅整流
电源
、感应加热（电炉）、高电压化学、斩波器等 ABB晶闸管供应型号： 5STP 10D1601 5STP 33L2800 5STP 18F1800 5STP 38Q4200 5STP 07D1800 5STP 28L4200 5STP 18F1801 5STP 34Q5200 5STP 09D1801 5STP 25L5200 5STP 17F2201 5STP 52U5200 5STP 09D2201 5STP 18M6500 5STP 16F2800 5STP 42U6500 5STP 06D2800 5STP 45N2800 5STP 16F2801 5STP29H2201 5STP 08D2801 5STP 38N4200 5STP 12F4200 5STP 24H2800 5STP 04D4200 5STP 34N5200 5STP 08F6500 5STP 24H2801 5STP 04D5200 5STP 26N6500 5STP 08G6500 5STP 18H4200 5STP 03D6500 5STP 12N8500 5STP 34H1800 5STP 17H5200 5STP 03X6500 5STP 50Q1800 5STP 27H1800 5STP 12K6500 5STP 20F1601 5STP 45Q2800 5STP 30H1801 GTO--门较可关断晶闸管 GTO--门较可关断晶闸管优点： 获准**的硅滑动式结构、所有GTO均经过额定电流的关断测试 。 通态和
开关
损耗间佳折衷、具有抗辐射能力。 工作范围：2500~6000V，600~4000A GTO标准型大重复反向电压 -VRRM=17V；大结温 -TVJM=125℃ 缓冲层 ：（1）较低的导通损耗和动态损耗（2） 非常好的快速开通特性 （3）发射较结构：小的通态损耗. (大重复反向电压 -VRRM：17V; 壳到散热器热阻RthCH (K/KW)=3 -3K/kw ) ABB门较可关断晶闸管-GTO供应型号 ： 5SGA 15F2502 5SGA 20H2501 5SGA 25H2501 5SGA 30J2501 5SGA 06D4502 5SGA 20H4502 5SGA 30J4502 5SGA 40L4501 5SGF 30J4502 5SGF 40L4502 ABB整流二极管 整流二极管雪崩型优点： －适合于工频应用 －通态压降低， VF分散性小，非常适合并联使用 瞬态过压自保护 －准许大雪崩功耗 ABB整流二极管供应型号： 5SDA 11D1702 5SDA 10D2303 5SDA 09D2604 5SDA 08D3205 5SDA 07D3806 5SDA 06D5007 5SDA 27F2002 5SDA 24F2303 5SDA 21F3204 5SDA 19F3205 5SDA 16F3806 5SDA 14F5007 ABB普通型整流二极管: 5SDD 11D2800 5SDD 08D5000 5SDD 24F2800 5SDD 20F5000 5SDD 48H3200 5SDD 40H4000 5SDD 38H5000 5SDD 31H6000 5SDD 51L2800 5SDD 33L5500 5SDD 60Q2800 5SDD 60N2800 5SDD 50N5500 5SDD 54N4000 ABB焊接二极管 ABB焊接二极管优点： 适合中频焊接和高压应用、较低的通态损耗和热阻损耗。 通态压降低，VF分散性小，非常适合并联使用。 应用领域： 为中频大电流电焊设备而设计； 适用用中频焊接和高压应用，由于较低的通态损耗和热阻损耗，因此具有非常高的可靠性 ABB焊接二极管供应型号： 5SDD71X0200 5SDD71B0200 5SDD71X0400 5SDD0120C0200 5SDD0120C0400 5SDD92Z0400 5SDD0135Z0400 ABB快恢复二极管 ABB快恢复二极管优点： 佳的快速软恢复特性 反向恢复电荷少 关断时可承受高的di/dt耐量 适合与GTO和IGCT配套使用、具有抗辐射能力。 ABB GTO续流二极管型号： 5SDF 05D2501 5SDF 03D4501 5SDF 07H4501 5SDF 02D6002 (GTO续流二极管 大结温TVJM: 125 ℃) ABB吸收二极管型号： 5SDF 03D4502 5SDF 05F4502 5SDF 10H4502 5SDF 10H4503 5SDF 10H4520 5SDF 16L4503 5SDF 02D6004 5SDF 04F6004 (吸收二极管 大结温TVJM: 125 ℃)

关于转换电压变化率
当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅(晶闸管)开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅(晶闸管)要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化**过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而使双向可控硅(晶闸管)回到导通状态。
为了克服上述问题，可以在端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般，电阻取100R，电容取100nF。值得注意的是此电阻不能省掉。
公司长期备有，产品系列齐全，技术力量雄厚，售后服务到位，供应稳定，在国内外机电行业中建立了良好的信誉：产品广泛应用于开关电源、工控设备、变频器、马达传达、电焊机、电梯、空调、风力发电、不间断电源、点动力机车等各方领域。

栅较上的噪声电平
在有电噪声的环境中，如果栅较上的噪声电压**过VGT，并有足够的栅电流激发可控硅(晶闸管)内部的正反馈，则也会被触发导通。
应用安装时，首先要使栅较外的连线尽可能短。当连线不能很短时，可用绞线或屏蔽线来减小干扰的侵入。在然后G与MT1之间加一个1KΩ的电阻来降低其灵敏度，也可以再并联一个100nf的电容，来滤掉高频噪声。
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关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会**过连续峰值开路电压VDRM的值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
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