BSM300GA120DN2

上海秦邦电子科技有限公司

关于连续峰值开路电压VDRM
在电源不正常的情况下，可控硅(晶闸管)两端的电压会**过连续峰值开路电压VDRM的值，此时可控硅(晶闸管)的漏电流增大并击穿导通。如果负载能允许很大的浪涌电流，那么硅片上局部的电流密度就很高，使这一小部分先导通。导致芯片烧毁或损坏。另外白炽灯，容性负载或短路保护电路会产生较高的浪涌电流，这时可外加滤波器和钳位电路来防止尖峰（毛刺）电压加到双向可控硅(晶闸管)上 。
面向全国，苏州优质模块供应商，代理商。 
全新原装，特约代理，大量现货库存 
ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、TYCO  
可控硅 IGBT IPM PIM系列模块优势代理

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双较型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；
IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空**、电动汽车与新能源装备等领域应用较广。
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可控硅 IGBT IPM PIM系列模块优势代理

特价销售各种可控硅、二极管等模块、电容、电位器、熔断器等系列电力电子产品。
POWEREX系列电力电子元器件；
QRD1220T30 QRD1220T30 CM600HA24H KD221K75 KD224575 KD324512 KS221K10 KS24540 KS524503 KS621220A7 KS621240 KS621K60 QRD1210T30 CE420860 A190RPB A190RD A170PB A170RN A170RM A180PB A190RM A170RPD A180PM A190RP A170RD A190PB A170RP A190RN A180RPD A190PD A180RP A190RPM A180RD A170RPM A170B A180RPB A190B A596PB A180D A190RPD A190PM A180RM A190D A170RB A170RPB A190RB C184D ND430625 ND471025 P1Z7AAR700W QIQ0645001 QRS1240T30 QRC1415T30 QIQ0645002 R7011203XXUA R6001825XXYA R4100840 R6220255ESOO R5110410WA R4040470 RA200648XX R5101210 R6011630XXYA R3100912 R6030422PSYA R7012003XXUA R7220406HSOO RA204020XX R7011205XXUA R6100830 R7202606XXOO R4110140 R7000105XXUA R4100825 R5011215XXWA R7220405ESOO RA201236XX R4140170 R6201240XXOO R7S00208XX R5101010WA R6200630XXOO RA203425XX R5100610WG R4110540 R5110515 R6201640XX00 R5031418FSWA RA202220XX R5021613LSWA R7003503XXUA R6202440XX00 R9G20412CSOO R3100112 R7202406XXOO R6011030XXYA R4110025 R7000603XXUA R6201440XX00 R7222207CSOO R6010825XXYA R7S01608XX R6000425XXYA R5100410WG R7S00816XX R6001625XXYA R4150360 R7002603XXUA R7222407CSOO R5110210XXWA R7000204XXUA R7203506XX00 R5100215WA R6110625 RBK82840XX R5100410 R7S02012XX R7002003XXUA R7220205ESOO R9G21212CSOO R7004403XXUA R9G20615ASOO R7202206XXOO R5100210 RBK83240XX R3100012 R4040160 R4150870 R6001030XXYA R4101025 R6021025HSYA R6110820 R9G03812XX R7000605XXUA R5100210WA R9G23512BSOO R7200606XXOO R5010810XXWA R7002803XXUA R5030618FSWA R7011803XXUA R6110620XXYZ R6011820XXYA R5021013LSWA R5001015XXWA R7012203XXUA R7S21610ESOO R7S20810ESOO R6030835ESYA R5110610WA R6202430XX00 R5020818FSWA R7000104XXUA R6011220XXYA R6100120 R7012805XXUA R7013503XXUA R5100515 R5031613FSWA R7014203XXUA R9G21412CSOO R6111025XXYZ R6000230XXYA R6202430XXOO R6010430XXYA R6202030XX00 R6101025XXYZ R6000420XXYA R4111025 R5001410XXWA R6011825XXYA R6030622PSYA R6201250XXOO R6110630XXYZ R6012620XXYA R6110230 R6111220 R4140470 R6110820XXYZ R6021435ESYA R6101230 R6221455ESOO R7222205ASOO R3111616 R6000430XXYA R5100815WA R5100615XXWA R7000404XXUA R6012420XXYA R6020835ESYA R3100516 R3100916 R5110315 R7S20809ESOO R4040870 R7000803XXUA R5110415 R7204006XXOO R9G01022XX R4100625 R9G22215ASOO R6010425XXYA R4110240 R51 R6011430XXYA R9G00418XX RBS80670XX R9G22415ASOO R9G20612BSOO R6030635ESYA R7001204XXUA R4110340 R4110825 R4100340 R4040170 R6021222PSYA R7003403XXUA R7S01808XX R4040560 R4110840 R4140570 R7220608ESOO R7001003XXUA T6101118BT T510015007AQ T720184504DN T500138004AB T6100218 T6000515 T6100518 T625093004DN T700143504BY T600121504BT T6101018 T6000615BT T6101118 T6100315 T500134005AQ T6100715 T510048005AQ T6101615BT

方法
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双较器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。如等效电路图所示(图1)，其中一个MOSFET驱动两个双较器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅较下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了*二个电荷流。后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET 电流)； 一个空穴电流(双较)。
关断
当在栅较施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。
鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。