单价::电议零件:无源封装:SMD/DIP包装:标准产地:中国品牌:原厂年份::新年份货期:现货
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可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数,其中包含两项与温度相关参数:载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压,但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET,通常约为50 V;对于LDMOS FET,通常约为28V。
AMC7932有32路(2组)12bit的双极性电压DAC,它输出非常灵活,可以输出两组正电压,两组负电压或者一组正电压一组负电压。因此可支持各类PA的检测和控制。 比如:用一组16路DAC对多个LDMOS PA进行偏置控制,同时用另一组16路DAC对多个GaN PA进行偏置。
结论
5G的Massive MIMO架构以及GaN PA普及使得基站内的天线通道数量急剧提升。对应的PA需求量更是爆发式增长。设备商们不得不采用复杂,高密度多功能的PA检测和控制技术。AMC7932的单片解决方案在使得PA检测和控制部分在电路板面积、系统可靠性和成本方面具有显著的优势。
下图是使用离散器件对功放监测和控制的结构。所有的离散器件都可以通过同类型的数据总线进行操作的,一般使用I2C数据总线。
从设计的观点来看,使用离散器件实现监测和控制的主要优点是,可以从众多器件中选出合适的元件。比如按照自己的设计需求选取合适的采样精度和采样率,接口和通道数的ADC和DAC等。缺点同样很明显,就是所需芯片数量较多,面积较大而且成本高
集成方案实现GaN功率放大器的监测和控制
为减少器件数量,TI推出了许多新器件,具有集成了多通道ADC、DAC、精密参考和温度检测等功能。AMC7932就是将多通道12bit ADC,多功能GPIO,高边电流检测,多通道分组双极性电压输出12bit DAC以及温度监控等通用监测和控制所需的所有功能和特性集成到一起。
*深圳伟格兴电子,地处亚太深圳。诚信13年合作伙伴。原装质量保证。只做原装现货!
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