PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。
骊微电子代理的AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率。
PN8036M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过流保护,欠压保护,过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性 。
在电源电路设计中电源IC较主要的三个参数是,输入电压VIN、输出电压Vo及较大输出电流Iomax。骊微电子工程师根据产品的工作电流来选择:较合适的是工作电流较大值为电源IC较大输出电流Iomax的70~90%。下面跟随芯朋微代理骊微电子了解几款DC-DC的电源芯片。
骊微电子代理的PN8044M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8044M内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044M的降频调制技术有助于改善EMI特性。
骊微电子代理的PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源,输出电压可通过FB电阻调整。PN8015M内置800V高压启动与自供电模块,实现系统快速启动、**低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于改善EMI特性。
骊微电子代理PN8359包括高精度的恒压、恒流原边控制器及功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器和LED照明。PN8359工作在原边检测和调整模式,可省略光耦和TL431。该芯片提供了较为全面的自恢复保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。内置高压启动电路和较低的芯片功耗使得能够满足较高的待机功耗标准。在恒流模式,电流和输出功率可通过CS脚的Rs电阻进行调节;在恒压模式,PFM工作模式可获得较高的性能和效率。轻载时,该芯片采用较小的峰值电流工作以减小音频噪声。另外,输出线补偿功能有助于获得较好的负载调整率。
骊微电子根据实际经验据上了解所知,较大输出电流Iomax为1A的升压式DC/DC变换器IC可用于工作电流700~900mA的场合,而工作于20~30mA时,其效率则较低。如果产品有轻负载或重负载时,较好选择PFM/PWM自动转换升压式DC/DC变换器,这不仅在轻负载时采用PFM方式耗电较小,正常负载时为PWM方式,而且效率也高。
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