非隔离PN8044芯片供应商

PN8044/46非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（外围元件数目较少：*变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。

PN8044/46非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（外围元件数目较少：*变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。

PN8044/PN8046极限工作范围：
VDD 脚耐压……-0.3~40V
SW 脚耐压.……. -0.3~650V
结工作温度范围…….-40~150℃
存储温度范围…….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）…….260℃
封装热阻 （DIP-8）…….40℃/W
PN8044人体模式 ESD 能力(1)（HBM）……±6kV
PN8046人体模式 ESD 能力(1)（HBM, ESDA/JEDEC JDS-001-2014）……±4kV
PN8044空气模式ESD 能力(2)……8kV
PN8046空气模式ESD 能力(2)（静电测试仪对芯片引脚直接放电）……8kV
PN8044漏较脉冲电流（Tpulse=100us）……3A
PN8046漏较脉冲电流（Tpulse=100us）……5A

深圳市骊微电子科技有限公司主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，公司同时提供电源产品应用与电源设计服务。

恒压工作模式：PN8044/46芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。

骊微电子提供的PN8044/46集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8044/46内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8044/46的降频调制技术有助于改善EMI特性。

1. 高压启动：在启动阶段，PN8044/46内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。

2. 恒压工作模式：PN8044/46芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。

3. PFM 调制：PN8044/46芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样，较大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，*造成电感饱和，影响可靠性。

4. 软启动：为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，骊微电子代理的PN8044/46设置软启动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。

5. 智能保护功能：PN8044/46集成全面的保护功能，包括：过温保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。过温保护------当芯片结温**过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。

深圳市骊微电子科技有限公司专业集成电路IC生产设计销售，提供电源领域相关软硬件设计服务，提供方案设计、生产、客诉等一条龙技术服务，系统解决客户技术后顾之忧。