开关电源控制芯片损坏PN8044

开关电源芯片PN8368是一款应用于5-12W以内AC/DC**低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器，内部集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，恒压控制模式采用多模式控制方式，合理的兼容了芯片的高性能、高精度和高效率。在全电压交流输入范围内，采用*有的自适应补偿**技术，输出过功率保护电具有很高的一致性，同时在通过内置的线损补偿电路保证了较高的输出电压精度。

18W USB PD充电器方案原边芯片PN8161采用SOP8封装，内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，集成市电Brown in/out、AC OVP等保护，可节省启动电阻、CS侦测网络、驱动及分离MOSFET等近颗10元器件；

PN8306M 5v同步整流降压芯片特性：
1、适用于DCM/QR工作模式的反激变换器，效率提高3%以上；
2、内置6/14mΩ 55V Trench MOSFET，典型应用5V2.4A/3.4A；/3、Smart控制算法实现零直通炸机风险；
4、VIN耐压高达24V，抗冲击能力强；
5、内置高压供电模块，同步控制不受输出电压波动影响，更可靠；
6、高精度次级电流检测，同步整流关断点精准，提高转换效率，避免倒灌电流；
7、HBM ESD设计， VIN、VDET*外串电阻，可满足15kV空气/8kV接触ESD标准；
8、小导通时间可通过RT电阻调整以匹配变压器设计，避免同步整流干扰PSR采样；
9、ESOP8裸铜散热封装，温升更低；
10、VIN欠压保护/过压钳位。

骊微电子在5V开关电源ic方案上推荐典型的**低待机功耗准谐振原边反馈交直流转换器制IC，例如：开关电源芯片PN8368。 PN8368集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8368为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于30mW。