5V 3.1A充电器芯片AP2005

PN8368产品特性
■内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
■采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■原边反馈可省光耦和TL431
■恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■*额外补偿电容
■无音频噪声
■智能保护功能
—过温保护 (OTP)
—VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
—逐周期过流保护 (OCP)
—CS开/短路保护 (CS O/SP）
—开环保护 (OLP)


在智能电子产品中，手机给予我们很多的方便，除了通讯这个基本功能之外，购物，阅读，听音乐等等娱乐休闲功能也变的越来越重要，甚至可以说手机是现代人*工具，由于手机软件使用频繁，所以人们对手机的电量需求也越来越大，要求也是越来越高，骊微电子从充电器设计到充电管理芯片产品覆盖5-100W以内各类电源产品，同时提供电源产品应用与电源设计服务，为手机充电器厂商提供相关的电源IC方案，对于品质、性能等各方面也提出了更高要求。

PN8308H适用于输出电压9-15V的电源，内置80V智能功率MOSFET，具有如下特点：
易搭配原边主控芯片： ns级速度关断SR， 支持150kHz工作频率，支持CCM/DCM/QR工作模式；
EMC性能**：*特电流跟踪技术显著降低dV/dt，EMC特性优于肖特基；
可实现零外围工作：Low side架构，单边SW贴片封装，方便PCB Layout；
全面的智能保护功能：UVLO、防误开启、防误关断功能。

如何实现低待机功耗：PN8275内置850V 高压启动及放电模块，265Vac轻松实现50mW待机功耗！
如何提高转换效率：PN8308H内置80V/10mΩ 智能功率MOSFET，115Vac/230Vac平均效率大于92%！
如何简化EMC设计：PN8275内置X电容放电模块，可通过增大X电容简化传导设计；PN8308H采用*特电流跟踪技术降低SR开关尖峰电压，改善辐射3dB以上！

12V3A六级能效适配器方案亮点：
输出规格：12V/3A
内置 850V 高压模块实现 X 放电功能
HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out
高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

DCM模式同步整流虽然技术成熟，但应用场合一般受限于小功率充电器，CCM模式同步整流支持任何模式原边芯片，因此应用功率更大、应用场合更广，PN8308因外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器，如需12V3.0A六级能效36W适配器应用方案的详细资料，可向骊微电子申请。>>>

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子推出新一代精简外围12V3A六级能效充电器/适配器方案：PN8275+PN8308H外围外围BOM降低20%，效率高达87%，满足六级能效的传统12V3A六级能效同步整流方案。

六级能效同步整流方案概述：
PCBA尺寸：39.0mm*86.0mm
输入电压：90~265Vac全电压
输出功率：36W(Typical)
平均效率：≥88.3%(满足CoC V5 Tier2六级能效要求)
待机功耗：<50mW(Vin=265Vac)
输入欠压保护、输入过压保护、输出过压保护，输出过流保护等

PN8275是一款集成了高压启动的电流模式的开关电源芯片，结合多模式混合调制技术和X电容放电功能实现六级能效，并符合IEC 62368-1:2014标准要求(CB证书编号：DK-76617-UL)；PN8275提供了全面保护功能包括输入市电欠压保护、市电过压保护、输出过压保护、OTP、OCP、次级整流管短路保护等。

PN8308H包括DCM/CCM模式同步整流控制器及80V/10mΩ智能功率MOSFET，用于在9-20V的反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8308H外围精简，采用*特电流跟踪技术，可在50ns内快速关断，改善系统EMI特性，彻底避免直通损坏并降低SR开关尖峰电压。

PN8275+PN8308H电路描述：电路图中R20、R22、R23为反馈分压电阻；D5、R17、R18、R15、C7 组成 RCD 箝位电路，用于吸收功率 MOSFET 漏源端尖锋电压，可以视情况予以减轻；PN8275 本体温度太高时，其内置的 OTP 保护功能会及时动作，关闭 IC，以保护整个系统，温度下降之后在自动重启；电路具有输出短路保护，输出过流保护，开环保护， VDD 过压保护等功能，以提高整个系统的可靠性；当连接到反馈脚 FB 的分压电阻开路或短路时，系统都会进入保护状态。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。






PN8680M概述：
PN8680M原边反馈低功耗电源芯片集成**低待机功耗原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8680M为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。PN8680低功耗电源芯片内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准，可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率；在恒流模式，输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了较为全面的智能保护功能，包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。

PN8680M产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路，小于50mW空载损耗（230VAC）
■ 采用多模式技术提高效率，满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ *额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
 过温保护 (OTP)
 VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
 逐周期过流保护 (OCP)
 CS开/短路保护 (CS O/SP）
 开环保护 (OLP)

PN8680M极限工作范围：
VDD 脚耐压……………….……………………-0.3~40V
FB,CS 脚耐压………………...……….…………-0.3~5.5V
SW 脚耐压……………………….…….…..…. -0.3~650V
结工作温度范围……….…..….…..…...….….-40~150℃
存储温度范围………………………....…. ….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）……………..……………...260℃
封装热阻RθJC （SOP-8）…...........……………….80℃/W
人体模式ESD 能力(1)（HBM）……..…...….……... ±4kV
漏较脉冲电流（Tpulse=100us）………….…….…..…..…3A

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