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高压启动:在启动阶段,PN8044/46内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电;当VDD电压达到VDDON,芯片开始工作,高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后,输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量,供芯片继续工作。
PFM 调制:PN8044/46芯片工作在PFM模式,同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低,芯片开关周期每增大1us,Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样,较大Ipeak固定,当输出电压和输出电流固定时,电感感量是一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小,系统带载能力会偏小,如果感量过大,*造成电感饱和,影响可靠性。
PN8044/46集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8044/PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护。另外PN8044/46的降频调制技术有助于改善EMI特性。
软启动:为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式,带来较大电流尖峰,骊微电子代理的PN8044/46设置软启动功能,通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间(300ns),以降低LEB时间内能量大小,避免系统启动时的高电流尖峰。
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