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PN8386产品特点：
内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
内置高压启动电路小于50MW空载损耗(264V AC)
采用准谐振与多模式技术提高效率满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒流恒压输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护（OTP）
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)

骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。

PN8147内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。

PN8570准谐振隔离式原边反馈芯片是一款高性能的原边反馈控制器，包含一个*特的准谐振开关电路，在CV工作状态下，这个电路检测每一个谐振周期的谷底位置，让芯片每个开关周期都在谷底导通，减少系统的开关损耗。同时，PN8570工作在原边检测和调整模式，可省略系统的光耦和TL431。