SRC1205S AT5020-E3R0HBAT/LF 价格优势

可以看到晶体管的源漏电流Ids是栅源电压Vgs的函数，其中包含两项与温度相关参数：载流有效电子迁移率μ和阈值电压Vth。高的Vgs电压会导致高的Ids或高的功率放大器。Ids还取决于漏较电压，但是一般情况下会固定Vd的电压。工程师会使用优化后的Vd电压以获得所需的功率水平。 Vd值对于GaN FET，通常约为50 V；对于LDMOS FET，通常约为28V。

电压检测
Ids变化需要通过调整系统中Vd或Vgs来补偿。 调整Vgs更容易，因为只需要很小的电压变化即可。为了精确的确保Vgs和Vd稳定准确，我们往往需要对Vgs和Vd的电压进行监控。PA系统都会有一个电压检测电路。

为了确定PA的优偏置状态，必须在功放的线性度、效率和增益等参数之间进行平衡。通过对漏较偏流的控制，使其随温度和时间的变化而保持恒定的值，可改善功放的总性能，同时又可确保功放工作在调整的输出功率范围之内。目前常用的方法是动态控制功放的栅较电压，首先量化PA的漏较电流和工作温度，通过计算生成偏置电压的数字控制量，通过DAC或电阻设定所需的偏置，使功放工作在所需的偏置状态，以实现优的性能，而无论电压、温度和其他环境参数如何变化。