PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
过载保护
负载电流**过预设定值时,系统会进入过载保护;在异常情况下,可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V,经过固定60ms的延迟时间,开关模式停止。
PN8161产品特征:
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简,*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动,空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V,适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
过温保护 (OTP)
输出过压保护
逐周期过流保护 (OCP)
输出开/短路保护
次级整流管短路保护
过负载保护(OLP)