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骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块，外驱功率DMOS，外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
骊微电子代理的PM8034M集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源， 输出电压可通过FB 电阻调整。PN8034M 内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。
骊微电子代理PN8326包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET，专用于高可靠、隔离双绕组、较精简外围元器件的中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式，可省略光耦、TL431；采用了快速DMOS自供电的专利技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。

深圳市骊微电子科技有限公司专注电源应用芯片8年有余，积累了众多的AC-DC电源管理芯片解决方案以及*数据，不仅为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
骊微电子代理的PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，用于在高性能反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8306内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率并降低芯片温度。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

PN8036M内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护。另外PN8036M的降频调制技术有助于改善EMI特性 。

PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，专用于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。
骊微电子代理的PN8235为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（230VAC）小于50mW。在恒压模式，采用多模式技术提高效率并消除音频噪声，使得系统满足6级能效标准。

PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8046内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护，例外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性。

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