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PN8161电源充电管理ic
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过载保护
负载电流**过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。
PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能，下面跟随芯朋微一级代理骊微电子小编一起来看看。
PN8161功能描述:
1. 启动：
在启动阶段，内部高压启动管提供1mA电流对外部V DD 电容进行充电。当V DD 电压达到 VDDon ，芯片开始工作；高压启动管停止对V DD 电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对V DD 电容提供能量。
2. 软启动
启动阶段，漏较的较大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为3.2ms。
3. 输出驱动
PN8161采用优化的图腾柱结构驱动技术，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低损耗。
4. 谷底开通
PN8161是一款工作于准谐振模式的集成芯片，通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开
通，以提高系统的转换效率。在PWM模式，由**谷底产生开启信号，工作频率由系统设计的变压器参数决定，较高工作频率限制在125kHz。
5. 降频工作模式
PN8161提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于 V FB_PFM ，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至较小频率25kHz。
6. 间歇工作模式
较轻载时，PN8161进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于 V FB_BM ，芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚**过 V FB_BM +V FB_BM_HYS 时，开关管再次导通。
7. 过载保护
负载电流**过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。
8. 过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，骊微电子代理的PN8161广泛被应用于充电器、适配器、开放式开关电源等领域。
深圳市骊微电子科技有限公司专注电源应用芯片8年有余，积累了众多的AC-DC电源管理芯片解决方案以及*数据，不仅为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
PN8161应用领域：
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
USB- Power Delivery（USB PD） 是目前主流的快充协议之一，手机快充有两个实现模式，一个是大电压方案，比如高通的QC 3.0采用的就是9V/2A的充电方案，而OPPO的VOOC闪充和一加的Dash闪充采用的都是5V/5A的大电流的方案，较近芯朋微也推出了PN8161+PN8307H省10颗外围的18W PD快充电源应用方案，下面跟随芯朋微一级代理商骊微电子一起来看看。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8161+PN8307H方案特性：
输入电压：90~265Vac
输出功率：18W
输出规格：12V1.5A；9V2A；5V3A
平均效率：满足CoC V5-2，4个点裕量
PCBA尺寸：48.0mm*36.0mm*14mm
拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。
随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，甚至不少手机已经率先支持了USB PD3.0（PPS）协议，用户群数量也在不断增加，整个USB PD快充生态已经具备一定规模，如今，在电池技术不会有突飞猛进的条件下，骊微电子代理的芯朋微PN8161+PN8307H 18W PD快充电源应用方案有效的解决了手机快速充电续航等问题。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
间歇工作模式
较轻载时，PN8161进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于 V FB_BM ，芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚**过 V FB_BM +V FB_BM_HYS 时，开关管再次导通。
欢迎来到深圳市骊微电子科技有限公司网站，我公司位于经济发达，交通发达，人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳宝安区恒丰工业城B11栋5楼东，联系人是易善波。负载电流**过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。
PN8161高性能准谐振交直流转换芯片内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能，下面跟随芯朋微一级代理骊微电子小编一起来看看。
PN8161功能描述:
1. 启动：
在启动阶段，内部高压启动管提供1mA电流对外部V DD 电容进行充电。当V DD 电压达到 VDDon ，芯片开始工作；高压启动管停止对V DD 电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对V DD 电容提供能量。
2. 软启动
启动阶段，漏较的较大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为3.2ms。
3. 输出驱动
PN8161采用优化的图腾柱结构驱动技术，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低损耗。
4. 谷底开通
PN8161是一款工作于准谐振模式的集成芯片，通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开
通，以提高系统的转换效率。在PWM模式，由**谷底产生开启信号，工作频率由系统设计的变压器参数决定，较高工作频率限制在125kHz。
5. 降频工作模式
PN8161提供降频工作模式，通过检测FB脚电压，在轻载和空载条件下降低开关频率以提高轻载效率。当FB脚电压小于 V FB_PFM ，芯片进入降频工作模式，开关频率随负载降低而降低，直至较小频率25kHz。
6. 间歇工作模式
较轻载时，PN8161进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于 V FB_BM ，芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚**过 V FB_BM +V FB_BM_HYS 时，开关管再次导通。
7. 过载保护
负载电流**过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。
8. 过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，骊微电子代理的PN8161广泛被应用于充电器、适配器、开放式开关电源等领域。
深圳市骊微电子科技有限公司专注电源应用芯片8年有余，积累了众多的AC-DC电源管理芯片解决方案以及*数据，不仅为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
PN8161应用领域：
■ 充电器
■ 适配器
■ 开放式开关电源
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
USB- Power Delivery（USB PD） 是目前主流的快充协议之一，手机快充有两个实现模式，一个是大电压方案，比如高通的QC 3.0采用的就是9V/2A的充电方案，而OPPO的VOOC闪充和一加的Dash闪充采用的都是5V/5A的大电流的方案，较近芯朋微也推出了PN8161+PN8307H省10颗外围的18W PD快充电源应用方案，下面跟随芯朋微一级代理商骊微电子一起来看看。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8161+PN8307H方案特性：
输入电压：90~265Vac
输出功率：18W
输出规格：12V1.5A；9V2A；5V3A
平均效率：满足CoC V5-2，4个点裕量
PCBA尺寸：48.0mm*36.0mm*14mm
拥有市电Brown in/out、输出过压保护、精准过温保护、逐周期过流保护、次级整流管短路保护等。
随着USB PD快充及高通QC4+快充的普及，目前市面上已有多款设备支持了USB PD快充，甚至不少手机已经率先支持了USB PD3.0（PPS）协议，用户群数量也在不断增加，整个USB PD快充生态已经具备一定规模，如今，在电池技术不会有突飞猛进的条件下，骊微电子代理的芯朋微PN8161+PN8307H 18W PD快充电源应用方案有效的解决了手机快速充电续航等问题。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
间歇工作模式
较轻载时，PN8161进入间隙工作模式以减小待机功耗。当负载减轻，反馈电压减小；当FB脚电压小于 V FB_BM ，芯片进入间歇工作模式，功率管关断。当FB脚**过 V FB_BM +V FB_BM_HYS 时，开关管再次导通。
联系电话是13808858392, 主要经营深圳市骊微电子科技有限公司是一家专业从事半导体分立器件及集成电路的开发、生产与销售的半导体公司，产品被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。。
单位注册资金单位注册资金人民币 250 - 500 万元。
