直流电源芯片 电源管理芯片

OB2001ZCP是一个高性能，紧密集成二次侧同步整流器开关模式电源系统。它结合了一个低电压降N沟道MOSFET压降仿真传统的二极管整流器反激式转换器的二次侧，可以减少散热，增加输出电流能力和效率并简化散热设计。　　
OB2001ZCP可以支持低系统输出在恒定电流模式下电压降至2V。它适用于多模式应用包括不连续导通模式和准谐振模式。 凭借其多功能性和优化，OB2001ZCP可用于各种开关模式电源拓扑包括次级端控制拓扑和主端控制拓扑。
PN8149内部集成了脉宽调制控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括周期式过流保护（外部可调）、过载保护、过压保护、CS短路保护、软启动功能。
PN8015M集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源，输出电压可通过FB电阻调整。PN8015M内置800V高压启动与自供电模块，实现系统快速启动、**低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过载保护，欠压保护，过温保护。另外PN8015M的降频调制技术有助于改善EMI特性。
SD8585S是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源PSR，采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(VC/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率采用SD8585S设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路，降低系统成本。SD8585S适用10-12W输出功率，内置线损补尝功能和峰值电流补偿功能。

PN8366产品特点：
内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
内置高压启动电路，小于30mW空载损耗（230VAC）
采用准谐振与多模式技术提高效率，满足6级能效标准
全电压输入范围±5%的CC/CV精度
原边反馈可省光耦和TL431
恒压、恒流、输出线补偿外部可调
*额外补偿电容
无音频噪声
智能保护功能
过温保护 (OTP)
VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
逐周期过流保护 (OCP)
CS开/短路保护 (CS O/SP）
开环保护 (OLP)
FP6601Q接口IC可在启用输出电压调整之前自动检测所连接的受电设备(PD)是兼容Quick Charge 3.0还是Quick Charge 2.0。如果检测到受电设备不兼容Quick Charge 2.0或3.0，FP6601Q可禁止输出电压调整，以确保仅5 V的旧型USB受电设备能够安全工作。
SD6954A是内置高压MOS管功率开关的原边控制开关电源(PSR)采用PFM调制技术，提供精确的恒压/恒流(CV/CC)控制环路，具有非常高的稳定性和平均效率。SD6954A适用8-12W输出功率，内置线损补偿功能和峰值电流补偿功能，采用SD6954A设计系统，*光耦，可省去次级反馈控制、环路补偿，精简电路，降低系统成本。
骊微电子专注于电源方案设计开发，具有8年以上电源方案设计经验，优秀的技术团队。产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的电源方案，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

PN8386集成**低待机功耗准谐振原边控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8386为原边反馈工作模式，可省略光耦和TL431。内置高压启动电路，可实现芯片空载损耗（264VAC）小于50mW。