PN8308正负电源芯片

PN8308H芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流 功能，当芯片检测到Vds小于开启阈值时，控制器驱 动功率MOSFET开启，此时Vgs达到较大值。随着 Isd电流的减小，芯片检测到Isd达到调整阈值区， 芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当原边开关 管导通时，Ids突变达到关断阈值，控制器将快速 关断功率MOSFET。
PN8308内置高开关速度智能MOSFET，进一步加快关断速度，集成了控制器及功率MOSFET，控制器实时跟踪功率MOSFET电流，实现50ns内快速关断，有效解决了CCM模式同步整流的技术的精确关断。
PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上。
PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期，MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号，为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号，芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内，芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后， 芯片关断值会恢复正常值。

PN8308H在系统启动阶段，输出电压比较低时，芯片内 置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC 电压达到VCCon时，芯片开始工作;当VCC电压低到 VCCoff时，芯片停止工作，芯片内置MOS体二极管 作为次级的续流二极管继续工作。
PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。