小体积PN8044集成电路 ic 控制

PN8044/46非隔离AC-DC开关电源芯片因其电路简单、BOM成本低（外围元件数目较少：*变压器、电感、光耦），电源体积小、无噪音、发热低等特点，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等认证，骊微电子广泛应用于非隔离型家电产品和工业产品等。
恒压工作模式：PN8044/46芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。
PN8044/46产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
■ 内置高压启动电路
■ 优化适用于18V输出非隔离应用
■ PN8044半封闭式稳态输出功率5.4W @230VAC
■ PN8046半封闭式稳态输出功率9W @230VAC
■ 改善EMI的降频调制技术
■ 优异的负载调整率和工作效率
■ 全面的保护功能
过载保护（OLP）
过温保护（OTP）
欠压保护（UVLO）
AC-DC非隔离分两种，一种是线性电源，一种是BUCK电路，骊微电子代理的PN8044/46非隔离AC-DC电源芯片降压电路，采用BUCK拓扑结构，常见于小家电控制板电源以及工业控制电源供电。其典型电路规格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等，满足六级能效要求。

PFM 调制：PN8044/46芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样，较大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，*造成电感饱和，影响可靠性。
骊微电子专注于各类芯片开发设计8年余，低功耗高效率的开关电源方案获得广大客户认可，并成功的在市场投入使用，骊微电子本着低价格、高效率，低功率，高效应的宗旨，向市场推送更**的电源芯片，同时，我们将为您提供高效、方便、理想的服务，骊微电子团队将为您提供合理的建议。
高压启动：在启动阶段，PN8044/46内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。
PN8044/PN8046极限工作范围：
VDD 脚耐压……-0.3~40V
SW 脚耐压.……. -0.3~650V
结工作温度范围…….-40~150℃
存储温度范围…….-55~150℃
管脚焊接温度 （10秒）…….260℃
封装热阻 （DIP-8）…….40℃/W
PN8044人体模式 ESD 能力(1)（HBM）……±6kV
PN8046人体模式 ESD 能力(1)（HBM, ESDA/JEDEC JDS-001-2014）……±4kV
PN8044空气模式ESD 能力(2)……8kV
PN8046空气模式ESD 能力(2)（静电测试仪对芯片引脚直接放电）……8kV
PN8044漏较脉冲电流（Tpulse=100us）……3A
PN8046漏较脉冲电流（Tpulse=100us）……5A
智能保护功能：PN8044/46集成全面的保护功能，包括：过温保护、VDD欠压保护功能，并且这些保护具有自恢复模式。过温保护------当芯片结温**过150℃，芯片进入过温保护状态，输出关闭，当芯片结温低于120度，芯片重新启动。VDD欠压保护------当芯片VDD电压低于VDDoff，芯片重新启动。芯片异常自恢复的时间通过VDD电容调整，VDD电容越大，自恢复时间越长。
软启动：为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，骊微电子代理的PN8044/46设置软启动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。