深圳杰力微科技有限公司
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一级代理EMP17N03 EMF04P02V 杰力MOS IC参数:
Input Capacitance Ciss
VGS = 0V, VDS = 15V, f = 1MHz
1983
Output Capacitance C pF oss 328
Reverse Transfer Capacitance Crss 287
Gate Resistance Rg VGS = 15mV, VDS = 0V, f = 1MHz 1.2 Ω
Total Gate Charge1,2 Qg(VGS=10V)
VDS = 15V, VGS = 10V,
ID = 30A
34.6
nC Qg(VGS=4.5V) 21
Gate‐Source Charge1,2 Qgs 4.8
Gate‐Drain Charge1,2 Qgd 9.7
Turn‐On Delay Time1,2 td(on) 9
nS Rise Time1,2 tr VDS = 15V, 20
Turn‐Off Delay Time1,2 td(off) ID = 25A, VGS = 10V, RGS = 2.7Ω 25
Fall Time1,2 tf 3
SOURCE‐DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS (TC = 25 °C)
Continuous Current IS 80
A
Pulsed Current3 ISM 170
Forward Voltage1 VSD IF = IS, VGS = 0V 1.3 V
Reverse Recovery Time trr 32 nS
Peak Reverse Recovery Current IRM(REC) IF = IS, dlF/dt = 100A / ?S 200 A
Reverse Recovery Charge Qrr 12 nC
一级代理EMP17N03 EMF04P02V 杰力MOS IC
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单位注册资金单位注册资金人民币 100 - 250 万元。