PN8308什么是电源芯片 芯朋微代理

PN8308H在系统启动阶段，输出电压比较低时，芯片内 置MOS体二极管作为次级的续流二极管。当VCC 电压达到VCCon时，芯片开始工作;当VCC电压低到 VCCoff时，芯片停止工作，芯片内置MOS体二极管 作为次级的续流二极管继续工作。
PN8275内部集成了电流模式控制器和高压启动模块，通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。

PN8308H包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，并留有足够的裕量。

PN8275+PN8308H方案亮点：
输出规格：12V/3A
内置 850V 高压模块实现 X 放电功能
HV 脚可实现精确市电异常保护：OVP、Brown in/out
高压启动+多工作模式+同步整流技术，满足 CoC V5 Tier 2、

骊微电子主要从事家电电源，充电器，电源适配器，LED电源等电源产品芯片IC设计，测试，销售，产品主要覆盖5-100W以内各类电源产品，为客户提供高效能、低功耗、品质稳定的集成电路产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，使客户的系统性能优异、灵活可靠，并具有成本竞争力。

PN8308H同步整流芯片包括同步整流控制器及N型功率MOSFET，内置电压降较低的功率MOSFET，以提高电流输出能力，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效的标准，常用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。
PN8308H芯片控制功率MOSFET开关以实现同步整流 功能，当芯片检测到Vds小于开启阈值时，控制器驱 动功率MOSFET开启，此时Vgs达到较大值。随着 Isd电流的减小，芯片检测到Isd达到调整阈值区， 芯片会根据Isd的减小幅度来降低Vgs。当原边开关 管导通时，Ids突变达到关断阈值，控制器将快速 关断功率MOSFET。
PN8308H在芯片控制 MOSFET 开启初期，MOSFET 的 漏端有较大的干扰信号，为了避免干扰信号导致芯 片误触发关断信号，芯片加入了屏蔽时间。在屏蔽 时间内，芯片关断值会提高。在屏蔽时间结束后， 芯片关断值会恢复正常值。

随着DoE 六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，骊微电子代理的PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。

PN8308 开关电源同步整流芯片SR提高功率密度，实现电源小型化，并降低系统成本。以12V3A电源为例，TO220肖特基+散热片（25mm*17mm）可被SOP8同步整流（10mm*10mm）取代，功率密度提高4倍以上，因PN8308外围精简、EMC性能**、支持任意工作模式、贴片封装并*散热片，被骊微电子广泛应用于12V2A-12V3A六级能效适配器。

PN8308H采用通态电阻较低的**功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。