dc电源芯片设计

节省1颗高压MOS和9颗阻容件，智能电表ac-dc电源芯片：PN8145T
Chipown集成1200V功率MOSFET的经典代表产品。骊微电子代理的PN8145T集成PWM控制器及1200V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于10W SSR Flyback架构的智能电表内置电源板。
内置高压启动，节省3颗启动电阻；
内置1200V功率MOSFET，单端反激架构即可满足三相电网电输入，节省1颗功率开关管及6颗驱动外围器件。*类似其他友商650V耐压产品要外部串联高压MOS分压。

骊微电子代理的开关电源芯片就是利用电子开关器件如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，维持稳定输出电压的一种电源芯片，从而实现DC/AC、DC/DC电压变换，以及输出电压可调和自动稳压。

节省10颗阻容件/光耦，24W全集成PSR电源芯片：PN8395H
Chipown集成CCM技术的PSR代表产品。骊微电子代理的PN8395H集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，典型应用于12V2A的PSR Flyback架构的六级能效适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
原边反馈及控制，节省光耦及TL431反馈网络等8颗外围器件；
支持DCM及CCM工作模式，率先突破PSR 24W功率集成的技术挑战。
电源管理芯片的目的是提高效率，降低功耗以此来达到绿色环保的要求，随着其应用范围的越来越广，其功能也越来越多，增效节能的要求也更加**，然而所有电子设备都有电源，但是不同的系统对电源的要求不同，为了发挥电子系统的较佳性能，选择较适合的电源管理芯片也变得尤为重要。
骊微电子代理的ac-dc电源管理芯片适用于电源及电子设备等领域了，凭技术精简外围元件！EMI技术不仅具有优良的噪音衰减特性，而且功能强大，有的还能实现热插拔，可大大节省印制板(PCB）的空间，为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时还提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务。
开关电源芯片作用是：1. 调节输出电压和该电压一致，保持输出电压稳定。 2， 开关电源芯片把开关电源所需要的控制逻辑都集成在芯片中，作用当然是简化电路设计、提高可靠性。
节省4颗阻容件，零外围同步整流器：PN8306M
Chipown全集成技术的SR代表产品。骊微电子代理的PN8306M集成同步整流控制器及40V智能功率MOSFET，广泛应用于5V2A PSR Flyback架构的六级能效充电器、USB排插电源板。
节省传统方案所需的1颗SW限流电阻和1颗RT调节电阻；
内置MOSFET的 dv/dt变化缓慢，节省2颗RC snubber器件；
节省7颗阻容件，家电ac-dc电源芯片：PN8034
Chipown高低压集成技术的经典代表产品，3Pin开关电源，较简外围。PN8034集成PFM控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V300mA Buck/Buck-Boost架构的智能家电内置电源板。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置电流采样管，节省2颗电流侦测电阻；
智能PFM控制技术，节省2颗输出电压采样电阻及1颗环路补偿电容。
节省6颗阻容件，24W无散热片六级能效ac-dc电源芯片：PN8160T
Chipown高低压集成技术的SSR代表产品。骊微电子代理的PN8160T集成六级能效控制器及690V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12V2A SSR Flyback架构的六级能效适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置电流采样管，节省4颗CS侦测器件，并以Trim技术实现3%OCP精度；
叠层封装技术提高功率密度，24W应用*散热片。
节省11颗阻容件，专打印度过欠压的AC-DC电源芯片：PN6370P
Chipown集成不重启过欠压技术的代表产品。骊微电子代理的PN6370P集成多模式控制器及800V高雪崩智能功率MOSFET，广泛应用于12W PSR Flyback架构的印度市场**的充电器、适配器。
内置高压启动，节省2颗启动电阻；
内置市电侦测模块，节省9颗外围器件，实现行业较安全的输入高压保护方式：不锁死，不重启，不掉电。