- 1932
- 产品价格：面议
- 发货地址：广东深圳宝安区 包装说明：纸箱子
- 产品数量：5678.00 个产品规格：齐全
- 信息编号：113404043公司编号：15283495
- 于生 销售 微信 136622269..
- 进入店铺 在线咨询 QQ咨询 在线询价
英飞凌 Infineon 工业IGBT模块 F DF120R12W2H3_B27
- 相关产品：
英飞凌
F3L15R12W2H3_B27 15.0 A, 2.05 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L75R12W1H3_B27 75.0 A, 1.45 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L80R12W1H3_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L100R12W2H3_B11 100.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L150R12W2H3_B11 150.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L200R12W2H3_B11 200.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L300R12ME4_B22 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L300R12ME4_B23 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L300R12MT4_B22 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
F3L300R12MT4_B23 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
F3L300R12PT4_B26 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FF300R12KE4_E 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L400R12PT4_B26 400.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FF450R12KE4_E 450.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
DF75R12W1H4F_B11 75.0 A, 2.1 V ,Technology：IGBT2 HighSpeed
DF80R12W2H3_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF80R12W2H3F_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
FD-DF80R12W1H3_B52 80.0 A, 2.05 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF120R12W2H3_B27 120.0 A, 2.05 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF150R12RT4 150.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FD150R12RT4 150.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF160R12W2H3_B11 160.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF160R12W2H3F_B11 160.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF200R12KE3 200.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
DF200R12PT4_B6 200.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF200R12W1H3_B27 200.0 A, 1.3 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
FD200R12KE3 200.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
FD200R12PT4_B6 200.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF300R12KE3 300.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
FD300R12KE3 300.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
英飞凌 Infineon 工业IGBT模块 变频器用IGBT 替代西门康 西门子 EPCOS 等SOMEC
欢迎来到深圳市友芯电子商务有限公司网站，我公司位于经济发达，交通发达，人口密集的中国经济中心城市—深圳。 具体地址是广东深圳宝安区光明新区8栋，联系人是于生。F3L75R12W1H3_B27 75.0 A, 1.45 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L80R12W1H3_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L100R12W2H3_B11 100.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L150R12W2H3_B11 150.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L200R12W2H3_B11 200.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
F3L300R12ME4_B22 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L300R12ME4_B23 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L300R12MT4_B22 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
F3L300R12MT4_B23 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
F3L300R12PT4_B26 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FF300R12KE4_E 300.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
F3L400R12PT4_B26 400.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FF450R12KE4_E 450.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - E4
DF75R12W1H4F_B11 75.0 A, 2.1 V ,Technology：IGBT2 HighSpeed
DF80R12W2H3_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF80R12W2H3F_B11 80.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
FD-DF80R12W1H3_B52 80.0 A, 2.05 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF120R12W2H3_B27 120.0 A, 2.05 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF150R12RT4 150.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
FD150R12RT4 150.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF160R12W2H3_B11 160.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF160R12W2H3F_B11 160.0 A, 1.55 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
DF200R12KE3 200.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
DF200R12PT4_B6 200.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF200R12W1H3_B27 200.0 A, 1.3 V ,Technology：IGBT3 HighSpeed
FD200R12KE3 200.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
FD200R12PT4_B6 200.0 A, 1.75 V ,Technology：IGBT4 - T4
DF300R12KE3 300.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
FD300R12KE3 300.0 A, 1.7 V ,Technology：IGBT3 - E3
英飞凌 Infineon 工业IGBT模块 变频器用IGBT 替代西门康 西门子 EPCOS 等SOMEC
联系电话是13088877331, 主要经营EPCOS电容器B43330-A9109-M EPCOS电容器B43340-S5568-M2 EPCOS电容器B43584-S5478-M3 EPCOS电容器B43455-S9338-M2 EPCOS电容器B43455-S9478-M2。
单位注册资金单位注册资金人民币 100 万元以下。
- 产品分类
- 变频器 电容
