PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能,包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。
骊微电子代理的PN8235集成**低待机功耗原边控制器及800V智能高压启动模块,外驱功率DMOS,外部Rg可调。PN8235用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
骊微电子代理PN8326包括高精度的恒流原边控制器及功率MOSFET,**于高可靠、隔离双绕组、较精简外围元器件的中小功率LED照明。该芯片工作在原边调整模式,可省略光耦、TL431;采用了快速DMOS自供电的**技术可节省变压器辅助绕组和高压启动电阻。
PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管。PN8307H内置电压降较低的功率MOSFET以提高电流输出能力,提升转换效率,使得系统效率可以满足6级能效的标准,并留有足够的裕量。
骊微电子代理的AP8266是一款高集成度的电流模式PWM控制芯片,具有高性能、低待机功耗、低成本等特点。AP8266内置绿色降频工作模式,根据负载情况调节工作频率,减少了开关损耗,从而获得较低的待机功耗和较高的转换效率。
PN8046集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8046内置650V高压启动模块,实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能,包括过载保护,欠压保护,过温保护,例外PN8046的降频调制技术有助于改善EMI特性。
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