PN8036电源管理芯片

非隔离AC-DC电源芯片降压电路其典型电路规格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等，骊微电子代理的PN8036非隔离AC-DC电源芯片降压电路，一般采用BUCK拓扑结构，其电路简单、BOM成本低应用非隔离辅助电源领域，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等，满足六级能效要求。
PN8036特征 :
1.内置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
2.内置高压启动电路
3.优化适用于12V输出非隔离应用
4.半封闭式稳态输出功率6W@230VAC
5.改善EMI的降频调制技术
6.优异的负载调整率和工作效率
7.全面的保护功能
优异全面的保护功能
过流保护(OCP)
过温保护(OTP)
欠压保护(UVLO)
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非隔离AC-DC电源芯片降压电路其典型电路规格包含5V/0.5A、12V/0.5A和24V/0.5A等，PN8036应用非隔离辅助电源领域，可通过EFT、雷击、浪涌等可靠性测试，可通过3C、UL、CE等，满足六级能效要求，需要更多详细资料可以向骊微电子申请。。。。。。
PN8036PFM 调制：芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样，较大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，*造成电感饱和，影响可靠性。
1. PN8036高压启动：在启动阶段，内部高压启动管提供2mA电流对外部VDD电容进行充电；当VDD电压达到VDDON，PN8036M芯片开始工作，高压启动管停止对VDD电容充电。启动过程结束后，输出通过隔离二极管对VDD电容提供能量，供芯片继续工作。

2. PN8036恒压工作模式：芯片通过VDD管脚对输出进行电压采样，VDD电压经过内部分压电阻分压得到采样电压VRF。当VRF低于内部基准电压VREF，芯片开启集成的高压功率管，对储能电感充电，当电感电流达到内部基准电流IPEAK，芯片关闭集成的高压功率管，由系统二极管对储能电感续流。图2-1和图2-2分别给出连续模式（CCM）和非连续模式（DCM）下系统关键节点工作波形。同时芯片集成负载补偿功能，可以提高恒压精度，实现较好的负载调整率。实际应用中VDD对输出的电压采样还受到隔离二极管影响，因此芯片VDD-REF设置为12.3V(TYP)，以抵消隔离二极管上的压降。

3.PN8036PFM 调制：芯片工作在PFM模式，同时内部设置IPEAK随芯片工作频率FSW降低而降低，芯片开关周期每增大1us，Ipeak降低约10mA。由于芯片内置采样，较大Ipeak固定，当输出电压和输出电流固定时，电感感量是一调制工作频率的参数。建议电感量为0.5mH (EE-13), 如果感量过小，系统带载能力会偏小，如果感量过大，*造成电感饱和，影响可靠性。

4.PN8036软启动：为了避免非隔离系统启动阶段因进入深度CCM模式，带来较大电流尖峰，PN8036设置软启动功能，通过限制Toffmin降低启动阶段的开关频率。同时芯片设计较小的LEB时间（300ns）,以降低LEB时间内能量大小，避免系统启动时的高电流尖峰。

骊微电子代理的PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性。
骊微电子代理的PN8036M非隔离ac/dc电源芯片主要是用于外围精简的开关电源，其内部集成了PFM控制器以及智能功率MOSFET，内置MOSFET具有650V高雪崩能力，实现系统快速启动、**低待机功能，并具有过流、欠压、过温保护，PN8036M采用的降频调制技术有效改善了EMI特性。

PN8036宽输出范围非隔离交直流转换芯片 ,集成PFM控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于外围元器件较精简的小功率非隔离开关电源。PN8036内置650V高压启动模块，实现系统快速启动、**低待机功能。该芯片提供了完整的智能化保护功能，包括过流保护，欠压保护，过温保护，另外PN8036的降频调制技术有助于改善EMI特性。