PN8161电源管理集成ic

PN8161功能描述:
启动：
在启动阶段，内部高压启动管提供1mA电流对外部V DD 电容进行充电。当V DD 电压达到 VDDon ，芯片开始工作；高压启动管停止对V DD 电容充电。启动过程结束后，变压器辅助绕组对V DD 电容提供能量。
过载保护
负载电流**过预设定值时，系统会进入过载保护；在异常情况下，可对系统进行保护。当V FB 电压**过4.4V，经过固定60ms的延迟时间，开关模式停止。
过温保护
功率MOSFET和控制芯片集成在一起，使得控制电路更易于检测MOSFET的温度。当温度**
145℃，芯片进入过温保护状态。
PN8161通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现，骊微电子代理的PN8161广泛被应用于充电器、适配器、开放式开关电源等领域。

输出驱动
PN8161采用优化的图腾柱结构驱动技术，通过合理的输出驱动能力以及死区时间，得到较好的EMI特性和较低损耗。
PN8161内部集成了准谐振工作的电流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外围元器件精简的交直流转换开关电源。该芯片提供了较为全面和性能优异的智能化保护功能，包括输出过压保护、周期式过流保护、过载保护、软启动功能。通过QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三种模式混合调制技术和特殊器件低功耗结构技术实现了**低的待机功耗、全电压范围下的较佳效率。频率调制技术和SoftDriver技术充分保证良好的EMI表现。
PN8161产品特征：
■ 内置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 准谐振工作
■ 较高开关频率125kHz
■ 外围精简，*启动电阻及CS检测电阻
■ 高低压脚位两侧排列提高安全性
■ 内置高压启动，空载待机功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的频率调制技术
■ 供电电压8-40V，适合宽输出电压应用
■ 优异全面的保护功能
? 过温保护 (OTP)
? 输出过压保护
? 逐周期过流保护 (OCP)
? 输出开/短路保护
? 次级整流管短路保护
? 过负载保护（OLP）
软启动
启动阶段，漏较的较大峰值电流限制逐步的提高；可以大大减小器件的应力，防止变压器饱和。软启动时间典型值为3.2ms。

谷底开通
PN8161是一款工作于准谐振模式的集成芯片，通过DMG检测到的消磁信号实现精确谷底开
通，以提高系统的转换效率。在PWM模式，由**谷底产生开启信号，工作频率由系统设计的变压器参数决定，较高工作频率限制在125kHz。